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 OIF批准更快速率的通用电气输入/输出接口规范 [2004-12-30] |
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| 光互联论坛(Optical Internetworking Forum, OIF)成员日前批准了一项用于6Gb/s和10Gb/s短距离和长距离应用的通用电气输入/输出接口实施协议。 该协议涵盖的应用包括高速背板、芯片间互联以及芯片到光纤模块的接口等具体内容。此次获得批准的三种电气接口主要针对:工作速...
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| 04年Q3全球EDA营收同比下滑,但中国及印度快速增长 [2004-12-29] |
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| EDA协会(EDA Consortium)最新的市场数据调查(MSS)显示,北美地区营收下滑导致全球2004年第三季度EDA授权和维护收入下跌3个百分点,而IC物理设计市场疲软也是其中一个因素。
据EDA协会的MSS报告称,第三季度包括半导体知识产权在内的EDA总营业收入为9.53亿美元,比2003年...
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| 天?科技实现TD-SCDMA终端芯片平台128k包交换数据传输 [2004-12-29] |
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| 天??科技(T3G)日前宣布,已经成功实现了全球首个基于TD-SCDMA商用终端参考设计平台的128k包交换数据传输,为TD-SCDMA手机厂商开发出丰富的3G多媒体应用提供了有力的支持,并为突出体现TD-SCDMA标准在高速包交换数据传输方面的优势奠定了基础。 天??科技据称是世界上首个在...
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| 力晶06年在大陆建8英寸晶圆厂,苏州、天津均被评估 [2004-12-29] |
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| 据称是台湾地区最大、全球排名第三的12英寸晶圆制造商力晶半导体(Powerchip)的董事会日前通过以公司净值693亿元新台币的20%为投资上限,向台湾地区政府申请来中国大陆设立8英寸晶圆厂。 力晶目前12英寸晶圆厂月产能4.5万片,符合台湾地区的晶圆厂来祖国大陆建厂条件,预计...
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| IBM在IEDM论道面向32纳米节点的SRAM单元技术 [2004-12-29] |
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| IBM公司的研究人员日前在IEDM会议上发表演讲,介绍了满足32纳米节点规范要求的SRAM单元,面积只有0.143平方微米。目前制造领域最先进的90纳米SRAM单元面积为1平方微米。 “此单元显示了我们能够持续缩小SRAM的可能性,因此能通过至少三个额外的工艺节点,继续增强系统性能。...
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| 运用钙钛矿氧化物材料,三星OxRRAM技术获突破 [2004-12-29] |
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| 在日前举行的IEDM上,韩国三星电子(Samsung Electronics)描述了一种下一代非易失性存储器技术,即所谓的OxRRAM。 据称,OxRRAM基于磁阻存储器(resistive memory)技术,该技术已经讨论过多年,但是这项技术过去由于糟糕的耐用性和较高功耗而备受诟病。三星声称,通过使用钙钛矿...
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| 英国剑桥初创公司SON技术可助实现智能电源 [2004-12-29] |
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| 英国剑桥大学(University of Cambridge)的两位教师于四年前创办的Cambridge Semiconductor公司日前透露,其技术基础乃采用MEMS??S工艺技术,在一条横跨由晶圆背部蚀刻空间的薄硅悬臂梁内,构建一种侧向功率半导体器件。这种技术有时也被称为Silicon-on-Nothing或SON。 该公...
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| Spansion加入国际Sematech制造联盟 [2004-12-29] |
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| AMD和富士通(Fujitsu)的闪存合资公司Spansion LLC日前宣布,将于2005年1月1日加入国际Sematech制造联盟(ISMI)组织,成为这个全球半导体制造联盟的第11名成员。 ISMI联盟现有成员包括AMD、富士通、AMD、惠普(HP)、IBM、英飞凌(Infineon)、英特尔、飞思卡尔(Freescale)、松...
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| Staccator演示全CMOS芯片,符合MB-OFDM PHY规范 [2004-12-29] |
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| Staccato Communications公司日前声称成功演示了第一片符合多带宽OFDM联盟物理层规范的单芯片全CMOS超宽带射频芯片。该芯片由RF前端和基带处理组成,定于2005年一季度末推出样品。 “这是第三次出带(tapeout),”Staccato公司市场总监Mark Bowles表示。尽管该芯片还没有完...
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| 存储器接口封装问题不容忽视,业界应严正以对 [2004-12-29] |
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| 我以前曾谈到FPGA中发现的器件封装问题,可能给大家的印象是其他器件的封装没有问题。可是,在参加了2004年11月在美国加州Santa Clara召开的Memcon会议后,我了解到封装问题及其导致的同步切换噪声(SSN)问题已扩展到存储接口IC领域。 参加Memcon会议的代表来自存储业界的两...
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