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效率高达99.4%!AI推动数据中心电源创新

国际金属加工网 2024年11月26日

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)AI的需求带动了数据中心的升级,高算力AI芯片带来了更高的功率,以至于当前数据中心整机柜的功率提升幅度也相当惊人。纳微半导体预测,2024年数据中心整机柜功率平均达到100kW,到2025年将提升至150kW,并继续保持高增长至2027年可能将会达到360kW。

整机柜的功率提升,也对服务器电源提出了更高的要求,需要更高的功率密度和更高的转换效率。纳微在中国电源学会年会2024上,介绍了一种服务器电源方案,采用GaN HEMT IC+Si MOSFET的组合,峰值效率能够达到99.4%,远远高于当前服务器电源80Plus钛金级最高96%的效率要求。

3.2kW GaN基交错并联图腾柱PFC

一般在2.7kW到4.5kW的中大功率服务器电源中,都会采用二级拓扑架构,其中后级一般使用全桥或半桥LLC,主要采用变频控制,可以实现软开关,效率能够达到98%以上。

而前级则采用交错并联的PFC,控制方法更加多样,而且工作方式不同,效率也会有很大差异。因此在前级会是提升电源效率的改进重点。

PFC主要有两种工作模式,包括电流连续模式(CCM)和临界导通模式(CrM)。CCM模式的好处是纹波电流小,导通损耗小,而且可以在100kHz以下定频工作;但也有缺点,比如主开关管硬开通,开关损耗大,峰值效率只能做到99%。

而CrM的优势相比CCM非常明显,首先是可以实现所有开关管的软开关,能够将开关损耗做到最低,因此峰值效率进一步提升到99.4%。在99%以上,每0.1%的效率提升都伴随着更多的难题,包括开关频率带来的损耗、散热、驱动、EMI等一系列问题。

纳微半导体高级应用工程师余文浩也表示,CrM的问题在于纹波电流会比较大,导致损耗相对较高,同时变频工作下驱动算法会更加复杂。但依然要采用CrM,必然有更深层的原因。

据介绍,CrM由于可以实现软开关,可以将频率提升至几百K甚至兆赫兹的水平,也就能大幅提高功率密度,同时保持高效率。而主要的技术难点在于三个方面,包括系统闭环控制、相位交错控制、全范围ZVS(零电压开关)。

图源:纳微半导体

纳微基于这些控制难点,推出了一个99.4%效率的3.2kW GaN基交错并联图腾柱PFC平台,在开关管方面,选择了4颗纳微GaN Safe系列的NV6515(650V,32mΩ max)IC,和2颗英飞凌IPT60R040S7 硅MOSFET,并且提供40微亨和200微亨两种电感规格,分别为高效率和高功率密度场景设计。

图源:纳微半导体

在实测的效率曲线中,在使用200微亨电感,CrM开关频率在300K左右时,峰值效率可以达到99.447%。但这主要适用于体积不受限,追求极致效率的场景。如果是需要对功率密度有要求的场景,CrM开关频率则要做到500K或者更高,这个时候峰值效率也可以额达到99.3%的高等级。

小结

在服务器电源的发展中,随着AI芯片的算力越来越高,功耗越来越大,电源的高功率密度和高效率将会越来越重要。在高效率电源中,采用第三代半导体器件,以及创新的电源架构,将会是未来的趋势。

(梁浩斌 电子发烧友网)

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